[发明专利]绝缘体上硅MOS晶体管结构有效
| 申请号： | 201110218147.4 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102254949A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 蒙飞 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 根据本发明的绝缘体上硅MOS晶体管结构包括：背部栅极，布置在背部栅极上的体区氧化层、布置在体区氧化层上的硅片层；布置在硅片层中的第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、以及有源区。其中，有源区包括源极区域S以及漏极区域。其中，在第一方向上，依次布置了第一浅沟槽隔离区的第一部分、第二浅沟槽隔离区的第一部分、有源区、第二浅沟槽隔离区的第二部分、第一浅沟槽隔离区的第二部分；并且在第二方向上，依次布置了漏极区域、沟道区域、源极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 mos 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上硅MOS晶体管结构，其特征在于包括：背部栅极，布置在背部栅极上的体区氧化层、布置在体区氧化层上的硅片层；所述绝缘体上硅MOS晶体管结构还包括：布置在硅片层中的第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、以及有源区；其中，有源区包括源极区域S以及漏极区域。
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