[发明专利]含晶粒长大抑制剂Cr和V的超细WC粉制备技术无效
| 申请号： | 201110217175.4 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102381707A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 王平;王子仪;郑峰 | 申请（专利权）人： | 王平;王子仪;郑峰 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 北京市通州区梨*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 由于亚微细和超细WC-Co硬质合金产品具有很好的高温强度、韧性和耐磨性，长期占据工模具、采矿、机械制造、基础设施建设等高端市场，在全球范围内得到广泛应用。经过多年研究，我们发明使用APT直接还原碳化制备超细WC粉末的生产技术和工艺。通过改进制粉工艺，采取特殊方法添加适量的微量元素，应用本发明技术能够生产含有晶粒长大抑制剂Cr和V的超细WC粉和相应的高品级硬质合金产品。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 长大 抑制剂 cr wc 制备 技术 | ||
【主权项】：
一种通过掺入微量元素作为添加剂以抑制晶粒长大，使用APT直接还原碳化并制备超细WC粉末的生产技术和工艺。
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