[发明专利]一种采用增氢钝化提高太阳能电池片转换效率的方法无效
申请号: | 201110213862.9 | 申请日: | 2011-07-28 |
公开(公告)号: | CN102903785A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 张振厚;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;郭玉飞;王学敏;李松;赵科新 | 申请(专利权)人: | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;C23C16/34;C23C16/511 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 周秀梅;李颖 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及晶体硅太阳能的制造,具体的说是一种采用增氢钝化提高太阳能电池片转换效率的方法。通过微波在太阳能电池片上沉积氢化的氮化硅膜层作为转换效率的表面钝化层和减反射层。本发明在形成氮化硅膜层之前通入氢气,并将其电离,对电池片进行钝化,中和悬挂键之后通入前驱气体的混合物,形成具有合适折射率,质量密度,氢浓度的氮化硅层,该氮化硅层可以用作太阳能电池片上的减反射/钝化层。通过基本包含硅烷和氨气的混合物可以在太阳能电池片上形成氮化硅层。将多个电池片放在载板上,并且将载板传输进沉积腔室,以进一步提升产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 钝化 提高 太阳能电池 转换 效率 方法 | ||
【主权项】:
一种采用增氢钝化提高太阳能电池片转换效率的方法,其特征在于:通过微波在太阳能电池片上沉积氢化的氮化硅膜层作为转换效率的表面钝化层和减反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的