[发明专利]一种四氯化硅的低温水解方法无效

专利信息
申请号: 201110213568.8 申请日: 2011-07-28
公开(公告)号: CN102275940A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 杨刊;常召雷;董永明 申请(专利权)人: 河北东明中硅科技有限公司
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 赵立军
地址: 052360 河北省石*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种四氯化硅的低温水解方法。将汽化的四氯化硅水解;水解后的混合物进行压滤;将滤液输送至水解塔中对四氯化硅进行水解,直到所得滤液中HCl的质量浓度达到20-30%,得到盐酸;研磨滤饼至无块状存在;将研磨后混合物进行水洗、打浆;然后进行二级压滤,滤液一部分重新回到水解塔对四氯化硅进行水解,另一部分滤液中和后排至废水池;将二次压滤得到的滤饼干燥、闪蒸、旋风分离得到最终的二氧化硅产品。本发明对设备的要求低,能耗低,污染小;四氯化硅水解更充分;避免了硅胶积聚造成的管道堵塞和流量无法控制;延长了设备的使用寿命。
搜索关键词: 一种 氯化 低温 水解 方法
【主权项】:
一种四氯化硅的低温水解方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将四氯化硅液体加入到汽化器中,用导热油加热汽化器得到汽化的四氯化硅,所述导热油的温度为170‑190℃;(2)将所述汽化的四氯化硅通入水解塔中进行液下鼓泡水解,得到水解后的混合物,塔内液面高度在2‑3米,将水解后的混合物输送入缓冲罐中;(3)用泵将所述水解后的混合物从缓冲罐中输送到一级隔膜暗流压滤机中进行第一次压滤,得到滤饼和滤液,将所述滤液输送至水解塔中对四氯化硅进行水解,直到所得滤液中HCl的质量浓度达到20‑30%,得到盐酸;(4)将所述滤饼输送至胶体磨研磨至无块状存在;(5)将步骤(4)中研磨后混合物输送入打浆罐中加入8‑12倍量的水,进行水洗、打浆处理;(6)将所述水洗、打浆后的混合物输送至二级隔膜暗流压滤机进行第二次压滤,得到滤饼和滤液,滤液重新加入到水解塔对四氯化硅进行水解,加入到水解塔的滤液量要使塔内液面在2‑3米之间,剩余滤液输送至中和罐中和后排至废水池;(7)将第二次压滤得到的滤饼输送至双桨叶干燥机进行初步干燥,干燥机采用170‑190℃的导热油加热,干燥时间为15‑45分钟,得到初步干燥的滤饼;(8)将所述初步干燥的滤饼输送入闪蒸干燥机进行干燥处理,直到滤饼温度为80‑90℃,出风温度为70‑80℃,得到二氧化硅粗制品;(9)将所述二氧化硅粗制品进行旋风分离,得到最终的二氧化硅产品。
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