[发明专利]耐高压驱动器无效
| 申请号： | 201110209151.4 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102447468A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 黄建程;林松杰;许国原;陈柏宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 耐高压驱动器(耐高压反相器电路)，包括：第一PMOS晶体管，源极连接至VDDQ，漏极连接至第一节点；第二PMOS晶体管，源极连接至第一节点，漏极连接至输出端；第一NMOS晶体管，源极连接至VSS，漏极连接至第二节点；第二NMOS晶体管，源极连接至第二节点，漏极连接至输出端。通过具有在VDDQ和VSS之间摆动的电压的第一信号来控制第一PMOS晶体管的栅极。通过具有在VDD和VSS之间摆动的电压的第二信号来控制第一NMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极。VDD低于VDDQ。第二NMOS晶体管的栅极利用大于VSS的第一电压来加偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 驱动器 | ||
【主权项】：
一种耐高压反相器电路，包括：第一PMOS晶体管，源极连接至第一高压电源(VDDQ)，漏极连接至第一节点；第二PMOS晶体管，源极连接至所述第一节点，漏极连接至输出端；第一NMOS晶体管，源极连接至低压电源(VSS)，漏极连接至第二节点；第二NMOS晶体管，源极连接至所述第二节点，漏极连接至所述输出端；通过具有在VDDQ和VSS之间摆动的电压的第一信号来控制的所述第一PMOS晶体管的栅极；通过具有在第二高压电源(VDD)和VSS之间摆动的电压的第二信号来控制的所述第一NMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的栅极，其中，VDD低于VDDQ；以及利用大于VSS的第一电压来加偏压的所述第二NMOS晶体管的栅极。
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