[发明专利]一种具有不同硅含量分布的梯度铁硅合金及其制备方法无效
| 申请号： | 201110207439.8 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102260874A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 毕晓昉;温钰;侯崇强 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 官汉增 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有不同Si含量分布的梯度铁硅合金及其制备方法，该合金的平均含硅量为3.5～4.1wt.％，其余成分为铁，且该合金的含硅量从合金表面向合金心部方向梯度递减，含硅量的递减梯度为每10μm含硅量递减0.045～0.11wt.％。所述的具有不同Si含量分布的梯度铁硅合金的制备方法包括准备靶材、低硅硅钢片基片制备、磁控溅射和扩散处理四个步骤。本发明采用磁控溅射法制备的不同硅含量的梯度铁硅合金在中高频下铁损较低，与CVD法以及热浸渍法相比，磁控溅射法制备梯度硅钢具有纯度高、成分可控、表面质量好、工艺可控性强、环保性好等优点，将其应用于梯度硅钢制备是一种极具开发价值的探索性的全新的研究。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 不同 含量 分布 梯度 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有不同硅含量分布的梯度铁硅合金，其特征在于：所述的不同硅含量分布的梯度铁硅合金的平均含硅量为3.53～4.05wt.％，其余成分为铁；该合金的含硅量从合金表面向合金心部方向梯度递减，含硅量的递减梯度为每10μm含硅量递减0.045～0.11wt.％。
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