[发明专利]铟镓氮基光电极的表面处理方法有效
| 申请号： | 201110206604.8 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102304738A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 邹志刚;罗文俊;李朝升;李明雪;刘斌;陈敦军;于涛;谢自力;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02;C25B11/04 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 周静 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及铟镓氮基光电极的表面处理方法，可大幅提高其IPCE：把InxGa1-xN光电极作为阳极，浸在0.1～5M HCl水溶液中，在无光照条件下从0V到5V用循环伏安法扫描至少1个循环，其中0＜x＜1。作为优选方案，所述InxGa1-xN光电极表面InxGa1-xN的厚度不小于250nm，更优选为250-1500nm。本发明处理方法简单、高效，设备简单，易于大规模使用，表面处理后光电极量子转换效率大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 铟镓氮基光 电极 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种铟镓氮基光电极的表面处理方法，其特征在于，把InxGa1‑xN光电极作为阳极，浸在0.1～5M HCl水溶液中，在无光照条件下从0V到5V用循环伏安法扫描至少1个循环，其中0＜x＜1。
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