[发明专利]铟镓氮基光电极的表面处理方法有效
| 申请号： | 201110206604.8 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102304738A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 邹志刚;罗文俊;李朝升;李明雪;刘斌;陈敦军;于涛;谢自力;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02;C25B11/04 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 周静 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铟镓氮基光 电极 表面 处理 方法 | ||
1.一种铟镓氮基光电极的表面处理方法，其特征在于，把InxGa1-xN光电极作为阳极，浸在0.1～5M HCl水溶液中，在无光照条件下从0V到5V用循环伏安法扫描至少1个循环，其中0＜x＜1。
2.如权利要求1所述的铟镓氮基光电极的表面处理方法，其特征在于，用循环伏安法扫描1～50个循环。
3.如权利要求1或2所述的铟镓氮基光电极的表面处理方法，其特征在于，所述InxGa1-xN光电极表面InxGa1-xN的厚度不小于250nm。
4.如权利要求3所述的铟镓氮基光电极的表面处理方法，其特征在于，所述InxGa1-xN光电极表面InxGa1-xN的厚度为250-1500nm。
5.如权利要求4所述的铟镓氮基光电极的表面处理方法，其特征在于，所述InxGa1-xN光电极表面InxGa1-xN的厚度为250-300nm。
6.如权利要求1或2所述的铟镓氮基光电极的表面处理方法，其特征在于，把InxGa1-xN光电极作为阳极，浸在0.5～2M HCl水溶液中，在无光照条件下从0V到5V用循环伏安法扫描至少1个循环，其中0＜x＜1。
7.如权利要求1或2所述的铟镓氮基光电极的表面处理方法，其特征在于，0.1≤x≤0.5。
8.如权利要求7所述的铟镓氮基光电极的表面处理方法，其特征在于，0.1≤x≤0.3。
9.如权利要求1或2所述的铟镓氮基光电极的表面处理方法，其特征在于，循环伏安法扫描时，铂金Pt作为阴极，Ag/AgCl电极作为参比电极。
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