[发明专利]一种不同多晶硅栅电极厚度的集成工艺

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种不同多晶硅栅电极厚度的集成工艺。本发明公开了一种不同多晶硅栅电极厚度的集成工艺，通过利用硬掩膜层进行选择性刻蚀高、低压区域多晶栅，并结合分布接触孔光刻、刻蚀工艺，进而实现不同厚度的多晶栅电极的器件集成工艺，并增大了接触孔的刻蚀成功率，提高产品的良率。

主权项

一种不同多晶硅栅电极厚度的集成工艺，在一衬底上覆盖一栅氧化层，一绝缘区域贯穿栅氧化层和衬底，将其隔离为高压区域和低压区域，且高压区域的栅氧化层的厚度大于低压区域的栅氧化层的厚度，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：依次淀积第一多晶硅层和硬掩膜层，其中，第一多晶硅层覆盖栅氧化层和绝缘区域，硬掩膜层覆盖第一多晶硅层；步骤S2：回蚀高压区域和部分绝缘区域上方的掩膜层至第一多晶硅层后，淀积第二多晶硅层覆盖剩余的硬掩膜层和回蚀硬掩膜层后暴露出的第一多晶硅层；步骤S3：光刻、刻蚀位于剩余的硬掩膜层上方的第二多晶硅层至剩余的硬掩膜层后，光刻、刻蚀去除剩余的硬掩膜层；步骤S4：光刻、刻蚀位于高、低压区域上方的第一多晶硅层和剩余的第二多晶硅层，形成高、低压区域的多晶硅栅极；步骤S5：于高、低压区域的多晶硅栅极的侧壁上形成侧墙后，淀积接触孔刻蚀阻挡层覆盖高、低压区域的多晶硅栅极及其侧墙、刻蚀后暴露出的栅氧化层和绝缘区域；步骤S6：淀积接触孔绝缘氧化层薄膜覆盖接触孔刻蚀阻挡层后，刻蚀位于高压区域的多晶硅栅极上方的接触孔绝缘氧化层薄膜和接触孔刻蚀阻挡层至高压区域的多晶硅栅极，形成高压区域栅电极的接触孔；刻蚀位于低压区域的多晶硅栅极上方的接触孔绝缘氧化层薄膜和接触孔刻蚀阻挡层至低压区域的多晶硅栅极，形成低压区域栅电极的接触孔；刻蚀位于有源区上方的接触孔绝缘氧化层薄膜和接触孔刻蚀阻挡层至有源区区域的栅氧化层，形成有源区区域栅的接触孔。