[发明专利]二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法。它先将氟化铵、水和乙二醇混合得到电解液，再使用钛片为阳极、石墨为阴极的二电极体系对电解液进行氧化处理，得到电解液1和电解液2，接着，先将钛片依次置于电解液1、电解液2和电解液中氧化，得到氧化钛片，再将氧化钛片置于氢氟酸溶液中腐蚀，并于其旁通以空气吹动氢氟酸溶液，得到从氧化钛片上剥离的氧化钛薄膜，之后，先将氧化钛薄膜依次分别置于不同浓度的氢氟酸溶液中腐蚀，再逐渐将氢氟酸溶液的浓度稀释至0.004～0.006wt％，制得厚度为10～50nm的二氧化钛纳米孔阵列薄膜。制备方法制得的目标产物既可作为掩膜用来制备量子点，又可作为微栅应用于透射电镜的样品支撑，更是一种很好的滤菌膜材料。

主权项

一种二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法，包括阳极氧化法，其特征在于完成步骤如下：步骤1，先将氟化铵、水和乙二醇按照质量比为3∶18～22∶950～990的比例相混合，得到电解液，再使用氧化面积为9.6～10cm2/L的钛片为阳极、石墨为阴极的二电极体系对电解液进行氧化处理，得到电解液1和电解液2，其中，电解液1的氧化温度为23～27℃、电压为58～62V的恒压、时间为3～4h，电解液2的氧化温度为23～27℃、电压为58～62V下88～92s与38～42V下280～320s的周期电压、时间为100～140h；步骤2，先将钛片置于23～27℃的电解液1中，于58～62V的恒压下氧化1480～1520s，再将其置于23～27℃的电解液2中，依次于58～62V的恒压下氧化1480～1520s、38～42V的恒压下氧化580～620s和58～62V的恒压下氧化1780～1820s，随后将其置于23～27℃的电解液中，于98～102V的恒压下氧化88～92s，得到氧化钛片；步骤3，先将氧化钛片置于浓度为0.13～0.17wt％的氢氟酸溶液中，并于其旁通以空气吹动氢氟酸溶液，腐蚀至少3min后得到从氧化钛片上剥离的氧化钛薄膜，再将氧化钛薄膜依次分别置于浓度为0.06～0.1wt％和0.03～0.05wt％的氢氟酸溶液中腐蚀7～9min和8～10min后，将氢氟酸溶液的浓度逐渐稀释至0.004～0.006wt％，制得二氧化钛纳米孔阵列薄膜；所述薄膜的厚度为10～50nm，其由纳米孔阵列构成，其中，构成纳米孔阵列的纳米孔的孔直径为160～200nm、孔中心间距为200～240nm。