[发明专利]一种沟槽正斜角终端结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201110196911.2 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102254932A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王彩琳 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于高压MOS器件的沟槽正斜角终端结构及其制备方法，整个器件以n+区为衬底，中央区域为芯片的有源区，外围区域为芯片的终端区；在有源区和终端区的n+衬底底部为器件的漏极；有源区的结构是，n+衬底区上表面设有n-漂移区，n-漂移区中设有多个并联的元胞，每个元胞最下面是p+阱区，p+阱区上面设有p体区，p体区中设有多个n+源区，每个n+源区上方设有源电极；相邻的两个源电极之间设有一个多晶硅栅极，多晶硅栅极的正下面设有栅氧化层；终端区的结构是，在n-外延层内的pn结的弯曲处，设有与表面法线方向为夹角δ的沟槽，沟槽的底部设有p掺杂区，沟槽中设有填充物。本发明的结构有效实现了击穿电压和终端面积的最佳折衷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 斜角 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种适用于高压MOS器件的沟槽正斜角终端结构，其特征在于：整个高压MOS器件以n+区为衬底，中央区域为芯片的有源区，外围区域为芯片的终端区；在有源区和终端区的n+衬底底部为器件的漏极(D)；所述的有源区的结构是，从n+衬底区上表面设置有n‑漂移区，n‑漂移区中设置有多个并联的元胞，每个元胞最下面是p+阱区，p+阱区上面设置有p体区，p体区中设置有多个n+源区，每个n+源区上方设置有源电极(S)，源电极(S)用于将n+源区与p体区短路连接；相邻的两个源电极(S)之间设有一个多晶硅栅极(G)，多晶硅栅极(G)的正下面设置有栅氧化层；所述的终端区的结构是，在n‑外延层内的pn结的弯曲处，设有与表面法线方向夹角为δ的沟槽，沟槽的底部设置有一个p掺杂区，沟槽中填充有填充物。
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