[发明专利]一种低温碳热还原合成氧氮化铝粉末的方法无效

专利信息
申请号: 201110193372.7 申请日: 2011-07-12
公开(公告)号: CN102351222A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 刘新宽;刘平;周敬恩;马明亮 申请(专利权)人: 上海理工大学
主分类号: C01F7/00 分类号: C01F7/00;C04B35/58;C04B35/626
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 吴宝根
地址: 200093 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种低温碳热还原制备氧氮化铝粉末的方法。即将质量比1:1的氧化铝与活性炭混合,放入高能球磨机的球磨罐中,在600~900℃进行球磨,球料质量比15~30:1,填充比1:2~8,球磨时间2-8h,球磨过程通入氮气,控制气流量为30ml-1L/min,最后在空气中去除多余的碳,即得氧氮化铝粉末。本发明的低温碳热还原制备氧氮化铝粉末的方法,通过短时间的高能球磨,使得氧氮化铝的合成温度降低,从而简化了生产设备的要求,也相对缩短了氧氮化铝粉末的合成周期,相对的解决了转化率低的问题。
搜索关键词: 一种 低温 还原 合成 氮化 粉末 方法
【主权项】:
一种低温碳热还原合成氧氮化铝粉末的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)、球磨将氧化铝与活性炭按质量比1:1混合,放入高能球磨机的球磨罐中,进行球磨,球磨过程通入氮气,球磨过程控制温度为600~900℃,时间2~8h;(2)、出粉      步骤(1)球磨过程结束后随炉冷却至室温,在通入惰性气体保护或者真空条件下取出含碳的氧氮化铝粉末;(3)、脱碳将步骤(2)取出的含碳的氧氮化铝粉末倒入陶瓷坩埚,并装入加热炉中,随炉加热至650℃,在通入空气条件中保温2‑4h,得到氧氮化铝粉末。
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