[发明专利]一种连接Si3N4陶瓷的复合中间层组件及方法无效

专利信息
申请号: 201110191899.6 申请日: 2011-07-11
公开(公告)号: CN102390132A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 邹家生;许祥平;高飞;严铿 申请(专利权)人: 江苏科技大学
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;B32B15/00;C04B37/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 212003*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种连接Si3N4陶瓷的复合中间层组件及连接方法,该复合中间层组件由非晶钎料箔、Cu箔和Ni箔组成,所述的非晶钎料箔、Cu箔和Ni箔按非晶钎料箔、Cu箔、Ni箔、Cu箔、非晶钎料箔的顺序紧贴连接。本发明的连接方法是先将待连接的Si3N4陶瓷试样和复合中间层组件磨平、磨光和清洗;然后按Si3N4陶瓷、非晶钎料箔、Cu箔、Ni箔、Cu箔、非晶钎料箔、Si3N4陶瓷的顺序紧贴装配并置于真空炉中进行两步加热钎焊-扩散连接Si3N4陶瓷。本发明连接的Si3N4陶瓷接头其室温四点弯曲强度高于170MPa;其高温性能大大高于Ag-Cu-Ti钎料和Ti-Zr-Ni-Cu钎料,测试温度从293K升至1073K时,接头高温三点弯曲强度均高于120MPa。
搜索关键词: 一种 连接 si sub 陶瓷 复合 中间层 组件 方法
【主权项】:
一种连接Si3N4陶瓷的复合中间层组件,其特征是由非晶钎料箔、Cu箔和Ni箔组成,所述的非晶钎料箔、Cu箔和Ni箔按非晶钎料箔、Cu箔、Ni箔、Cu箔、非晶钎料箔的顺序紧贴连接。
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