[发明专利]定义光阻图案倒线规则的模型、掩膜布局、半导体基板及方法无效
| 申请号： | 201110190411.8 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102737959A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 傅国贵;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3105;G03F1/36 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种定义光阻图案倒线规则的模型、防止光阻图案倒线的掩膜布局、半导体基板及光阻图案倒线的定义方法。定义光阻图案倒线规则的模型，应用于光学近接修正，包括两第一尺寸、一第二尺寸、一第三尺寸及一第四尺寸，该第一尺寸及该第二尺寸相对应一掩膜布局的两第一线型图案的两第一宽度b及一第二线型图案的一第二宽度c，该第二线型图案位于所述第一线型图案之间且实质上平行所述第一线型图案，该第三尺寸及该第四尺寸相对应该第二线型图案与所述第一线型图案间的一第一距离a及一第二距离d；其中，若d≥5a且c≥1.5b，或5a＞d≥3a且c≥1.2b，定义相对应该第二线型图案的该光阻图案的一部分为非倒线。 | ||
| 搜索关键词： | 定义 图案 线规 模型 布局 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种定义光阻图案倒线规则的模型，应用于光学近接修正，包括两第一尺寸、一第二尺寸、一第三尺寸及一第四尺寸，该第一尺寸及该第二尺寸相对应一掩膜布局的两第一线型图案的两第一宽度b及一第二线型图案的一第二宽度c，该第二线型图案位于所述第一线型图案之间且实质上平行所述第一线型图案，该第三尺寸及该第四尺寸相对应该第二线型图案与所述第一线型图案间的一第一距离a及一第二距离d；其特征在于，若d≥5a且c≥1.5b，或5a＞d≥3a且c≥1.2b，定义相对应该第二线型图案的该光阻图案的一部分为非倒线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
