[发明专利]增益eDRAM存储单元结构

摘要

本发明属于存储器技术领域，提出了一种改善增益型eDRAM器件结构。本发明的一种增益eDRAM单元，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线，读MOS管的栅极和写MOS管的漏区通过金属线连接共同构成存储结点，写MOS管、读MOS管分别具有栅极介质，其特征在于，所述的写MOS管、读MOS管具有沟槽沟道，写MOS管、读MOS管的栅极介质位于硅衬底沟槽中，栅极为向下凸起的凸面圆柱状。本发明可以明显改善器件的数据保持特性。

主权项

一种增益eDRAM存储单元结构，包括读MOS管、写MOS管、写字线、写位线、读字线、读位线，读MOS管的栅极和写MOS管的漏区通过金属线连接共同构成存储结点，写MOS管、读MOS管分别具有栅极介质，其特征在于，所述的读MOS管和写MOS管的结构包括：N阱杂质掺杂区域，定义于半导体基底中；有源区域，由沟槽绝缘区域隔离定义；栅极沟槽，设于N阱杂质掺杂区域中，呈凸面圆柱状，沟槽底部具有下凸的曲面轮廓，栅极，设于栅极沟槽中；以及正常的源漏掺杂结构；写MOS管的沟槽沟道增大了晶体管的有效沟道长度，读MOS管沟槽沟道增大了栅极寄生电容，将栅极电由二维扩展为三维结构。