[发明专利]一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110188036.3 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102251215A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 徐明;芦伟;董成军;黄勤珍 | 申请（专利权）人： | 西南民族大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 黄幼陵;马新民 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法，其工艺步骤依次如下：(1)以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，以Al0.25In0.75合金为靶材，在真空条件下采用磁控溅射法在衬底上生长第一缓冲层AlInN；(3)第一缓冲层AlInN生长结束后，将靶材更换为Al，在真空条件下采用磁控溅射法完成第二缓冲层AlN在第一缓冲层AlInN上的生长；(4)第二缓冲层AlN生长结束后，将靶材更换为Al0.5In0.5合金，在真空条件下采用磁控溅射法完成AlInN薄膜在第二缓冲层AlN上的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 缓冲 技术 制备 alinn 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法，其特征在于工艺步骤依次如下：(1)衬底的处理以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)第一缓冲层AlInN的生长将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，在真空条件下采用磁控溅射法在衬底上生长第一缓冲层AlInN，靶材为Al0.25In0.75合金，以N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为7∶1，溅射功率50W～60W，溅射时间8分钟～15分钟，溅射过程中衬底的温度控制在250℃～350℃；(3)第二缓冲层AlN的生长第一缓冲层AlInN生长结束后，将靶材更换为Al，在真空条件下采用磁控溅射法完成第二缓冲层AlN在第一缓冲层AlInN上的生长，以N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为9∶1，溅射功率50W～60W，溅射时间15分钟～20分钟，溅射过程中衬底的温度控制在500℃～600℃；(4)AlInN薄膜的生长第二缓冲层AlN生长结束后，将靶材更换为Al0.5In0.5合金，在真空条件下采用磁控溅射法完成AlInN薄膜在第二缓冲层AlN上的生长，以N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为7∶1，溅射功率为80W～120W，溅射时间为35分钟～45分钟，溅射过程中衬底的温度控制在250℃～350℃。
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