[发明专利]存储装置

摘要

本发明公开了一种存储装置，所述存储装置含有包括以形成阵列的方式布置的存储器件的单元阵列。各所述存储器件具有：用于基于磁体的磁化状态存储信息的存储层；具有固定的磁化方向的磁化固定层；位于所述存储层与所述磁化固定层之间的隧道绝缘层，在将信息写入到所述存储层的操作中，产生在所述存储层和所述磁化固定层的层叠方向上流动的写入电流，以改变所述存储层的磁化方向，所述单元阵列被分为多个单元块，任意一个特定的所述存储器件的所述存储层的热稳定性的值是含有所述特定的存储器件的所述单元块所特有的。本发明的存储装置能够增大存储器件中能够进行的写入操作的次数并且能够增加存储在存储器件中的信息的保持时间的长度。

主权项

一种存储装置，所述存储装置包括单元阵列，所述单元阵列包括以形成阵列的方式布置的存储器件，其中，各所述存储器件具有：存储层，所述存储层用于基于磁体的磁化状态存储信息；磁化固定层，所述磁化固定层具有固定的磁化方向；以及隧道绝缘层，所述隧道绝缘层位于所述存储层与所述磁化固定层之间；在所述存储层和所述磁化固定层的层叠方向上施加流动的写入电流时，改变所述存储层的磁化方向，将信息写入到所述存储层，所述单元阵列被分为多个单元块，并且任意一个特定的所述存储器件的所述存储层的热稳定性的值是含有所述特定的存储器件的所述单元块所特有的。