[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，所述存储装置包括单元阵列，所述单元阵列包括以形成阵列的方式布置的存储器件，其中，

各所述存储器件具有：

存储层，所述存储层用于基于磁体的磁化状态存储信息；

磁化固定层，所述磁化固定层具有固定的磁化方向；以及

隧道绝缘层，所述隧道绝缘层位于所述存储层与所述磁化固定层之间；

在所述存储层和所述磁化固定层的层叠方向上施加流动的写入电流时，改变所述存储层的磁化方向，将信息写入到所述存储层，

所述单元阵列被分为多个单元块，并且

任意一个特定的所述存储器件的所述存储层的热稳定性的值是含有所述特定的存储器件的所述单元块所特有的。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

通过将任意一个所述特定的存储器件的所述存储层的饱和磁化强度调节成含有所述特定的存储器件的所述单元块所特有的水平，任意一个所述特定的存储器件的所述存储层的热稳定性的值被设定成含有所述特定的存储器件的所述单元块所特有的。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

通过将任意一个所述特定的存储器件的所述存储层的磁各向异性常数调节成含有所述特定的存储器件的所述单元块所特有的值，任意一个所述特定的存储器件的所述存储层的热稳定性的值被设定成含有所述特定的存储器件的所述单元块所特有的。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

至少一个所述单元块设置有错误校正功能。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的存储装置，所述存储装置具有这样的功能：

将存储在任意一个特定的所述单元块中的信息的一部分传输给另一个所述单元块，以及将存储在所述特定的单元块中的全部信息传输给所述另一单元块。