[发明专利]一种改善氧化铁纳米冷阴极发射特性的方法无效
| 申请号： | 201110184598.0 | 申请日： | 2011-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102262990A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈军;吴俊青;许宁生;邓少芝 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善氧化铁纳米冷阴极发射特性的方法，其将氧化铁纳米冷阴极固定在加热装置上，在真空中将氧化铁纳米冷阴极加热至特定温度并保持一段时间。通过上述处理过程，可以提高氧化铁纳米冷阴极的发射电流，降低场发射阈值电场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 氧化铁 纳米 阴极 发射 特性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善氧化铁纳米冷阴极场发射特性的方法，其特征在于：将氧化铁纳米冷阴极固定在加热装置上，置于高真空环境中，加热氧化铁纳米冷阴极至一定温度后，保温一段时间后降温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110184598.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发光二极管制作方法及结构
- 下一篇：一种接近开关安装支架
