[发明专利]一种改善氧化铁纳米冷阴极发射特性的方法无效
| 申请号： | 201110184598.0 | 申请日： | 2011-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102262990A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈军;吴俊青;许宁生;邓少芝 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 氧化铁 纳米 阴极 发射 特性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善氧化铁纳米冷阴极场发射特性的方法，其特征在于：将氧化铁纳米冷阴极固定在加热装置上，置于高真空环境中，加热氧化铁纳米冷阴极至一定温度后，保温一段时间后降温。
2.按权利要求1所述的一种改善氧化铁纳米冷阴极场发射特性的方法，其特征在于：所述的氧化铁纳米冷阴极的形貌是纳米线、纳米管、纳米带、纳米片、纳米尖。
3.按权利要求1所述的一种改善氧化铁纳米冷阴极场发射特性的方法，其特征在于：所述的加热方法可以是电阻丝加热、红外加热。
4.按权利要求1所述的一种改善氧化铁纳米冷阴极场发射特性的方法，其特征在于：所述的高真空的压强小于1×10-4Pa。
5.按权利要求1所述的一种改善氧化铁纳米冷阴极场发射特性的方法，其特征在于：所述的温度为200℃～600℃。
6.按权利要求1所述的一种改善氧化铁纳米冷阴极场发射特性的方法，其特征在于：所述的保温时间为30min至12hr。
7.按权利要求1所述的一种改善氧化铁纳米冷阴极场发射特性的方法在场发射电子源中的应用。
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