[发明专利]冷离子太阳能级多晶硅料的提纯方法及其设备有效
| 申请号： | 201110181287.9 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102363528A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 付少永;张驰;熊震;王梅花 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能级多晶硅料的提纯技术领域，特别是一种冷离子太阳能级多晶硅料的提纯方法及其设备，包括旋风器、等离子激励电源、进气和加料装置、产物收集装置，在旋风器内采用介质阻挡放电的方法作为等离子的产生方式，硅料进入旋风器，用硅粉粒度、载气预热温度和载气流速对硅粉颗粒平均处理时间进行控制，用载气预热温度、载气的气氛种类和介质阻挡放电的等离子激励电源功率对纯化效果进行控制，硅料在旋风器内约束的等离子体中实现纯化，最终将提纯后的硅料从旋风筒末端产出。本发明的有益效果是：可以在常压和近常压的条件下提纯硅料，用于提纯的离子密度高，能量大，提纯效率高，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 太阳 能级 多晶 提纯 方法 及其 设备 | ||
【主权项】：
一种冷离子太阳能级多晶硅料的提纯方法，其特征是：在旋风器内采用介质阻挡放电的方法作为等离子的产生方式，硅料以硅粉的形式通过载气进入旋风器，用硅粉粒度、载气预热温度和载气流速对硅粉颗粒平均处理时间进行控制，用载气预热温度、载气的气氛种类和介质阻挡放电的等离子激励电源功率对纯化效果进行控制，硅料在旋风器内约束的等离子体中实现纯化，最终将提纯后的硅料从旋风筒末端产出。
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