[发明专利]一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201110177982.8 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102263244A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 杨尊先;郭太良;李松;李福山;王灵婕;徐胜;张永爱 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350001 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法，以通孔AAO为模板，采用CVD、水热、热处理等制备出碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列三维结构膜层材料。本发明可有效地解决锡基材料因体积膨胀而导致循环稳定性差的问题，为该新型复合材料实用化奠定技术基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 锂离子电池 碳限域包覆 sn mgo 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1) 制备大面积通孔AAO薄膜；(2) 在通孔AAO膜孔内壁形成薄层碳管阵列;(3) 合成含有AAO的富碳多糖/SnO2@MgO颗粒一维复合纳米线阵列结构；(4) 合成含有AAO的碳/Sn@MgO颗粒一维纳米线阵列复合材料；(5) 制备碳/Sn@MgO颗粒一维纳米线阵列复合材料。
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