[发明专利]一种APTS介导的纳米羟基磷灰石的表面修饰方法有效

专利信息
申请号: 201110176322.8 申请日: 2011-06-28
公开(公告)号: CN102357261A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 史向阳;王世革 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: A61L27/12 分类号: A61L27/12;A61L27/50;C12N15/09
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 黄志达;谢文凯
地址: 201620 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种APTS介导的纳米羟基磷灰石表面修饰方法,包括:(1)将纳米羟基磷灰石n-HA与乙醇混合,然后用超声波分散得到n-HA/乙醇悬浮液;(2)然后将APTS滴加至上述n-HA/乙醇悬浮液中,在室温条件下反应结束后,离心、洗涤、分离沉淀,即得n-HA-APTS纳米颗粒;还可将n-HA-APTS纳米颗粒进一步乙酰化或羧基化。本发明的条件温和,工艺简单,产品易于操作分离,所用的修饰剂为环境友好的硅烷材料;所得到的n-HA-APTS、n-HA-APTS.Ac和n-HA-APTS.SAH纳米颗粒表面具有不同的活性基团,且具有良好的生物相容性和血细胞稳定性,应用前景广阔。
搜索关键词: 一种 apts 纳米 羟基 磷灰石 表面 修饰 方法
【主权项】:
一种APTS介导的纳米羟基磷灰石表面修饰方法,包括:(1)将纳米羟基磷灰石与乙醇按照质量体积比0.8‑1.2∶0.8‑1.2mg/mL混合,然后用超声波分散得到纳米羟基磷灰石/乙醇悬浮液;(2)然后将APTS滴加至上述纳米羟基磷灰石/乙醇悬浮液中,在室温条件下反应10‑15h;反应结束后,离心、洗涤、分离沉淀,即得n‑HA‑APTS纳米颗粒;其中纳米羟基磷灰石与APTS物质的量比1∶3~1∶5。
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