[发明专利]铜基体上直接生长竖直状纳米碳纤维阵列的方法有效

专利信息
申请号: 201110168331.2 申请日: 2011-06-22
公开(公告)号: CN102351164A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 师春生;张虎;赵乃勤;刘恩佐;李家俊;康建立 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;B82Y40/00
代理公司: 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 代理人: 王小静
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种铜基体上直接生长竖直状纳米碳纤维阵列的方法,属于碳纳米材料的制备技术。该方法过程包括:配制不同浓度的Ni/Y催化剂溶液,对铜片进行氩气等离子体预处理,将铜片在以上溶液中浸渍、真空干燥,然后将铜片放在反应炉中通入乙炔、氩气和氢气的混合气体,进行催化裂解反应,在铜片表面得到竖直状纳米碳纤维阵列。本发明的优点在于,采用电子工业中常用的Cu材为基体,通过控制基体的预处理方式、催化剂的掺杂及生长工艺等,在不添加任何扩散阻断层的情况下直接在铜基体上生长出了质量好、纯度高和形貌良好的得竖直状纳米碳纤维阵列,而且制备过程和设备简单,易于实现和推广。
搜索关键词: 基体 直接 生长 竖直 纳米 碳纤维 阵列 方法
【主权项】:
一种铜基体上直接生长竖直状纳米碳纤维阵列的方法,其特征在于包括以下过程:1)将铜基体进行抛光后,分别用去离子水、丙酮和乙醇超声清洗,然后在温度25‑30℃下干燥,并进行氩气等离子处理0.5‑3min;2)按镍与钇的摩尔比为(1‑5)∶1,将硝酸镍和硝酸钇加入去离子水中,配制0.01‑0.05mol/L硝酸镍和硝酸钇的溶液;3)将步骤1)处理的铜基体置入步骤2)的溶液中,浸渍20‑40秒,经真空干燥箱中在80‑100℃下干燥1‑4小时,将其放入石英舟中,在石英反应管的恒温区,在氩气保护下以升温速率10℃/min升至温度200‑400℃,恒温煅烧1‑4小时,得到了负载有催化剂的铜基体;4)将步骤3)所制得的负载有催化剂的铜基体铺展在石英舟中,将石英舟置于石英反应管恒温区,在氩气保护下,以升温速率10℃/min石英反应管升至温度500℃‑750℃后,以流速为200‑350mL/min向石英反应管通入氩气、氢气和乙炔气的混合气进行催化裂解反应0.2h‑1h,其中,氩气、氢气和乙炔气的体积比为(100‑300)∶(20‑150)∶(5‑100),然后在氩气氛围下将炉温降至室温,得到铜基体上生长的竖直状纳米碳纤维阵列。
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