[发明专利]用于制造压阻的传感器装置的方法以及传感器装置有效
申请号: | 201110167456.3 | 申请日: | 2011-06-21 |
公开(公告)号: | CN102336391A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | A.法伊 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B3/00;G01P15/09;G01L1/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 汲长志;杨国治 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制造用于惯性传感器的压阻的传感器装置(10)的方法,该传感器装置具有质量元件(12)、基体部件(14)以及连接该质量元件(12)和基体部件(14)的起到压阻作用的臂(16)。此外,本发明涉及一种相应的压阻的传感器装置(10)以及一种相应的惯性传感器。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 传感器 装置 方法 以及 | ||
【主权项】:
用于制造用于惯性传感器的压阻的传感器装置(10)的方法,该传感器装置具有质量元件(12)、基体部件(14)以及连接该质量元件(12)和基体部件(14)的起到压阻作用的臂(16),借助于以下步骤进行制造:-提供由用电绝缘层(26)覆盖的半导体基底(20)构成的预制品(18),该半导体基底具有掺杂区(22)和非掺杂区或者以另一种形式掺杂的区域(24),其中所述预制品(18)具有两个区域(28、30),这两个区域分别具有掺杂区(22)的两个相互隔开的部分区域(36、38)之一,-制造两个穿过电绝缘层(26)的缺口(32、34),其中第一缺口(32)布置在掺杂区(22)的第一部分区域(36)中并且第二缺口(34)布置在掺杂区(22)的第二部分区域(38)中,-制造穿过第一缺口(32)直至掺杂区(22)的第一触点(40)、穿过第二缺口(34)直至掺杂区(22)的第二触点(42)以及在电绝缘层(26)上的从第一触点(40)至少延伸到第二部分区域(38)上方的区域的导体电路(44),并且-通过局部的材料去除来分开所述两个区域(28、30),除了两个区域(28、30)之间剩下的臂(16),其中所述臂(16)具有在导体电路(44)的区域内两个部分区域(36、38)之间由掺杂材料构成的接片(54)、导体电路(44)本身以及所述层(26)的留在导体电路(44)和接片(54)之间的条带(56)。
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