[发明专利]用于制造压阻的传感器装置的方法以及传感器装置

权利要求书

1.用于制造用于惯性传感器的压阻的传感器装置（10）的方法，该传感器装置具有质量元件（12）、基体部件（14）以及连接该质量元件（12）和基体部件（14）的起到压阻作用的臂（16），借助于以下步骤进行制造：

－提供由用电绝缘层（26）覆盖的半导体基底（20）构成的预制品（18），该半导体基底具有掺杂区（22）和非掺杂区或者以另一种形式掺杂的区域（24），其中所述预制品（18）具有两个区域（28、30），这两个区域分别具有掺杂区（22）的两个相互隔开的部分区域（36、38）之一，

－制造两个穿过电绝缘层（26）的缺口（32、34），其中第一缺口（32）布置在掺杂区（22）的第一部分区域（36）中并且第二缺口（34）布置在掺杂区（22）的第二部分区域（38）中，

－制造穿过第一缺口（32）直至掺杂区（22）的第一触点（40）、穿过第二缺口（34）直至掺杂区（22）的第二触点（42）以及在电绝缘层（26）上的从第一触点（40）至少延伸到第二部分区域（38）上方的区域的导体电路（44），并且

－通过局部的材料去除来分开所述两个区域（28、30），除了两个区域（28、30）之间剩下的臂（16），其中所述臂（16）具有在导体电路（44）的区域内两个部分区域（36、38）之间由掺杂材料构成的接片（54）、导体电路（44）本身以及所述层（26）的留在导体电路（44）和接片（54）之间的条带（56）。

2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，借助于至少一个蚀刻过程，尤其借助于由各向异性和各向同性的蚀刻过程构成的组合来实现材料去除。

3.按权利要求1或2所述的方法，其特征在于，为了提供预制品（18）首先局部地将半导体基底（20）在其一个侧面上进行掺杂并且随后在该侧面的表面上设有电绝缘层（26）。

4.按上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述电绝缘层（26）是介电层。

5.按上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体基底（20）是无牺牲层的基底。

6.按上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体基底（20）是硅基底。

7.按上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，两个部分区域（36、38）之间的臂（16）基本上线性延伸。

8.按上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在分离步骤中在第一区域（28）中将质量元件（12）一起结构化。

9.用于惯性传感器的压阻的传感器装置（10），尤其根据按上述权利要求中任一项所述的方法进行制造的传感器装置（10），其具有质量元件（12）、基体部件（14）以及连接质量元件（12）和基体部件（14）的起到压阻作用的臂（16），其中所述传感器装置（10）是由共同的半导体基底（20）制成的传感器装置，并且该半导体基底（20）具有掺杂区（24），该掺杂区作为接片（54）从基体部件（14）延伸到质量元件（12）并且设有电绝缘层（26），在该电绝缘层上导体线路（44）同样从基体部件（14）延伸到质量元件（12），并且其中掺杂区（22）和导体电路（44）借助于第一触点（40）通过质量元件（12）中的第一缺口（32）相互电接触。

10.惯性传感器，其具有至少一个按权利要求9所述的压阻的传感器装置（10）以及在作为基体的共同的半导体基底（20）上的构造成集成线路的线路装置。