[发明专利]基于氧化物纳米结构的表面传导电子发射源及其制作方法有效
申请号: | 201110167432.8 | 申请日: | 2011-06-21 |
公开(公告)号: | CN102262994A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 张永爱;郭太良;叶芸;胡利勤;吴朝兴;郑泳 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01J29/04 | 分类号: | H01J29/04;H01J9/02 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350001 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开一种基于氧化物纳米结构的表面传导电子发射源及其制作方法。该表面传导电子发射源包括一玻璃基板,位于玻璃基板表面的平行交替排列的阴极和栅极,设置于阴极表面及阴栅间隙的氧化物纳米结构的电子发射层。本发明将平面型的场发射结构与氧化物纳米结构电子发射层的强电子发射性能有效结合,该氧化物纳米结构的电子发射层形成一氧化物纳米结构阵列,且该阵列位于阴极电极表面及阴栅间隙内。在本阵列中氧化物纳米结构的电子发射层既作为电子发射源又作为表面电子传导层,电子发射电流密度大、电子发射效率高;工艺过程简单、成本低、发射稳定可靠。 | ||
搜索关键词: | 基于 氧化物 纳米 结构 表面 传导 电子 发射 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种基于氧化物纳米结构的表面传导电子发射源,包括阴极基板,设置于该阴极基板表面的阴极、栅极及氧化物纳米结构的电子发射层,其特征在于:该阴极电极与该栅极电极平行交替排列,且该阴极电极与该栅极电极之间存在一个微米级间隙,该氧化物纳米结构的电子发射层覆盖于该阴极电极表面及该阴栅间隙内。
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