[发明专利]反应腔室的密封装置及方法无效
| 申请号： | 201110164573.4 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102270566A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 董金卫;赵燕平;卢言晓;孙少东 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100016 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反应腔室的密封装置及方法，涉及半导体生产装置技术领域，所述装置包括工艺管(1)、工艺板(2)、密封气体供应单元(6)和气压控制单元(5)。本发明通过设置气压控制单元通过调节凹槽内密封气体的压力，以实现所述反应腔室内工艺气体的压力与所述凹槽内密封气体的压力平衡，从而保证所述反应腔室内工艺气体不会泄露出来，同时也控制所述凹槽内密封气体的压力大于外界气体的压力，防止外部气体进入所述凹槽，解决了在高温的处理工艺中对反应腔室进行有效的密封的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 密封 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种反应腔室的密封装置，其特征在于，所述密封装置包括：工艺管(1)、工艺板(2)、密封气体供应单元(6)和气压控制单元(5)，所述工艺管(1)的管口垂直向下，所述工艺管(1)的管口外沿处设置有与所述工艺管(1)一体的法兰(13)，所述工艺板(2)通过所述法兰(13)与所述工艺管(1)连接，所述法兰(13)在与所述工艺板(2)接触的底面上沿所述工艺管(1)的管口一周设有凹槽(3)，所述法兰(13)上设有进气管道(4)，所述进气管道(4)的一端与所述凹槽(3)连接，所述进气管道(4)的另一端与所述气压控制单元(5)的一端连接，所述气压控制单元(5)的另一端与所述密封气体供应单元(6)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
