[发明专利]干蚀刻设备及干蚀刻方法无效
| 申请号： | 201110159714.3 | 申请日： | 2011-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102280340A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 高桥秀治 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/248 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了干蚀刻设备和干蚀刻方法。干蚀刻设备包括：真空室，其中包括固定待蚀刻部件的载物台；工艺气体提供装置，用于向真空室中提供工艺气体；等离子体产生装置，其包括用于在真空室中产生等离子体的电极；等离子体产生电源，其向等离子体产生装置的电极提供用于进行等离子体产生的高频电源；偏压电源，其为单偏压电源，用于控制载物台的自偏压电位，并且其输出频率可变；匹配箱，其为电连接在载物台与偏压电源之间的单匹配箱，并且对偏压电源的负载与偏压电源之间的阻抗进行匹配；频率设置装置，用于设置偏压电源的输出频率；以及控制装置，用于根据所设置的偏压电源的输出频率来控制匹配箱的阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种干蚀刻设备，包括：真空室，其中包括固定待蚀刻部件的载物台；工艺气体提供装置，用于向真空室中提供工艺气体；等离子体产生装置，其包括用于在真空室中产生等离子体的电极；等离子体产生电源，其向等离子体产生装置的电极提供用于进行等离子体产生的高频电源；偏压电源，其为单偏压电源，用于控制载物台的自偏压电位，并且其输出频率可变；匹配箱，其为电连接在载物台与偏压电源之间的单匹配箱，并且对偏压电源的负载与偏压电源之间的阻抗进行匹配；频率设置装置，用于设置偏压电源的输出频率；以及控制装置，用于根据所设置的偏压电源的输出频率来控制匹配箱的阻抗。
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