[发明专利]硅通孔填充方法

摘要

本发明公开了一种硅通孔填充方法，包括步骤：硅片上淀积二氧化硅，形成深沟槽；在深沟槽中淀积一层钛或氮化钛；在深沟槽中淀积钨；进行化学机械研磨表面的钨去除；制作正面金属互连线及正面后段工艺；对硅片的背面进行减薄，将形成于深沟槽的底部的空洞露出；从硅片的背面对深沟槽底部的空洞进行金属填充，并制作背面金属图形。本发明通过正面刻蚀、正面金属填充和背面金属填充结合，能够便于与现有集成电路工艺集成、并能利用现有生产设备进行加工，能降低工艺难度和成本。

主权项

一种硅通孔填充方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、硅片上淀积一层二氧化硅，利用光刻定义出硅通孔区域，依次刻蚀所述硅通孔区域的所述二氧化硅和所述硅片并形成深沟槽；步骤二、在所述深沟槽中淀积一层钛或氮化钛；所述钛或氮化钛同时也淀积到所述深沟槽外部的表面区域；步骤三、在所述深沟槽中淀积钨，所述钨完全填充所述深沟槽的顶部；所述钨同时也淀积到所述深沟槽外部的表面区域；步骤四、进行化学机械研磨将形成于所述深沟槽外部的表面区域的所述钨去除、将形成于所述深沟槽顶部的所述钨研磨到和所述二氧化硅的表面相平；制作所述硅片的正面金属互连线及正面后段工艺；步骤五、对所述硅片的背面进行减薄，将所述深沟槽的底部露出，并同时将步骤三中所述钨填充后在所述深沟槽底部形成的空洞露出来；步骤六、从所述硅片的背面对所述深沟槽底部的空洞进行金属填充，并制作背面金属图形。