[发明专利]一种用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺制作方法

摘要

本发明公开一种用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺制作方法，在一半导体器件所包含的NMOS晶体管栅电极外及其器件离子注入区域上覆盖一层第一应力膜，在半导体器件所包含的PMOS晶体管栅电极外及其器件离子注入区域上覆盖一层第二应力膜，对重叠区域进行刻蚀，使得双层阻挡层薄膜与单层阻挡层薄膜厚度相同；在覆盖第一应力膜、第二应力膜及其绝缘氧化层薄膜上进行刻蚀，形成接触孔。本发明通过刻蚀工艺降低双刻蚀阻挡层在两层薄膜交界重叠区域的薄膜厚度，使之保持与单一层刻蚀阻挡层薄膜区域的厚度相当。避免了不同区域的刻蚀差异问题，防止了双刻蚀阻挡层两层薄膜在交界区域重叠极易导致后续接触孔刻蚀不通的问题。

主权项

一种用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺制作方法，其特征在于，在一半导体器件所包含的NMOS晶体管栅电极外、侧墙隔离层之上及其器件离子注入区域上覆盖一层第一应力膜，在半导体器件所包含的PMOS晶体管栅电极外、侧墙隔离层之上及其器件离子注入区域上覆盖一层第二应力膜，其中所述第一应力膜和所述第二应力膜有交界的重叠区域，通过刻蚀将所述重叠区域的厚度变薄，使其厚度保持与单一第一应力膜或第二应力膜的厚度相当；之后，刻蚀PMOS器件、NMOS器件有源区之上的绝缘氧化层薄膜及第一应力膜、第二应力膜，及覆盖第一应力膜和第二应力膜交界之上的绝缘氧化层薄膜及第一应力膜和第二应力膜的交界处，并同时刻蚀覆盖NMOS晶体管栅电极的第一应力膜和覆盖PMOS晶体管栅电极的第二应力膜及绝缘氧化层薄膜，形成分别接触贯穿绝缘氧化层薄膜及第一应力膜和第二应力膜的交界处、NMOS晶体管栅电极、PMOS晶体管栅电极、PMOS器件有源区、NMOS器件有源区的接触孔。