[发明专利]外延膜、压电元件、铁电元件、它们的制造方法以及液体排出头

摘要

本发明公开了外延膜，其包括：加热Si衬底，在该衬底的表面上设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO2层；和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO2层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜：yA(1-y)B                    (1)，其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值，xA2O3-(1-x)BO2             (2)，其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素，且x为0.010～0.035的数值。

主权项

外延膜，其在Si衬底上形成并且由以下组成式表示：xA2O3‑(1‑x)BO2                    (2)，其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素原子，B为Zr，并且x为0.010～0.035的数值，并且(200)取向的半峰全宽为0.8°以下。