[发明专利]一种SOI体接触MOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201110135857.0 | 申请日： | 2011-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102208449A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 蒙飞;仇超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 提供一种SOI体接触MOS晶体管，包括：半导体衬底，依次位于所述半导体衬底表面的氧化物埋层和体区；位于所述体区表面的栅极结构，及位于所述栅极结构两侧体区内的第一离子区和第二离子区，所述第一离子区和第二离子区均掺杂有第一导电类型离子；还包括位于所述第一离子区背离栅极结构一侧的体区内的第一体接触区，及在位于所述第二离子区背离栅极结构的一侧体区内的第二体接触区，所述第一体接触区和第二体接触区均掺杂有第二导电类型离子。还提供一种SOI体接触MOS晶体管的形成方法。通过所述SOI体接触MOS晶体管及其形成方法，可以抑制浮体效应，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 接触 mos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI体接触MOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，依次位于所述半导体衬底表面的氧化物埋层和体区；位于所述体区表面的栅极结构，及位于所述栅极结构两侧体区内的第一离子区和第二离子区，所述第一离子区和第二离子区均掺杂有第一导电类型离子；位于所述第一离子区背离栅极结构一侧的体区内的第一体接触区，及位于所述第二离子区背离栅极结构的一侧体区内的第二体接触区，所述第一体接触区和第二体接触区均掺杂有第二导电类型离子。
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