[发明专利]一种智能高敏分子印迹传感芯片

摘要

本发明涉及一种智能高敏分子印迹传感芯片，具体涉及分子印迹薄膜制备领域。本发明的芯片，按玻璃基片、金属膜、分子印迹膜的顺序由下至上依次排列；制备方法为：首先在避光条件下将模板分子、功能单体溶于致孔剂中，超声混合；再加入交联剂和引发剂，超声混合后通氮气，得到反应液；然后将镀有金属膜的玻璃基片其金属膜一面与反应液接触，引发聚合反应，使金属膜上形成分子印迹膜；最后对的玻璃基片进行洗脱，得到目标产物。本发明的传感芯片检测灵敏度高，对超低浓度样品产生响应，特异识别性强，适用范围广，可用于SPR检测、QCM检测、SAW检测及电化学检测。

主权项

一种智能高敏分子印迹传感芯片，包括玻璃基片、金属膜、分子印迹膜，该芯片按照玻璃基片、金属膜、分子印迹膜的顺序由下至上依次排列，其特征在于该传感芯片的制备方法具体步骤为：1)清洗玻璃基片，用氮气吹干，用真空蒸镀的方法在玻璃基片上镀一层金属膜，金属膜厚度为40～50nm；2)在避光条件下将模板分子、与其对应的功能单体溶于与模板分子对应的致孔剂中，超声混合5～40分钟，静置1～2小时；再加入与模板分子对应的交联剂和与引发条件对应的引发剂，超声混合5～20分钟，然后通氮气5～30分钟，得到反应液；3)将步骤2得到的反应液注入反应池，步骤1中得到的镀有金属膜的玻璃基片加于反应池上，使其金属膜一面与反应池中的反应液接触，提供引发聚合反应的条件，使金属膜上形成分子印迹膜；4)用与模板分子对应的致孔剂和乙酸按体积比9∶1～7∶3配制洗脱液，对步骤3得到的带有分子印迹膜的玻璃基片进行洗脱，除去分子印迹膜中的模板分子，得到智能高敏分子印迹传感芯片；其中步骤2所述的模板分子为待检测的样品分子；模板分子∶功能单体∶交联剂的摩尔比为1∶4∶3～15；模板分子在致孔剂中的浓度为0.01～0.1mol/L，功能单体在致孔剂中的浓度为0.04～0.4mol/L；交联剂在致孔剂中的浓度为0.03～1.5mol/L，引发剂在致孔剂中的浓度为1～10mg/ml；步骤3所述的引发条件为热引发或光引发。