[发明专利]用锌还原法制造高纯度晶体硅的方法无效
| 申请号： | 201110122286.7 | 申请日： | 2011-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN102774838A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 潘凯 | 申请（专利权）人： | 潘凯 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102209 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种适合大规模、低成本生产太阳能级晶体硅的制造方法。本发明的主要特征在于包括如下步骤：①使硅粉和氯气在氯氧化炉内进行反应的步骤；②对步骤①获得的反应生成物在粗馏塔内进行冷却的步骤；③对步骤②获得的气体进一步精馏，获得高纯度四氯化硅的步骤；④将锌加热生成气态锌的步骤；⑤使四氯化硅与气态锌在锌还原室反应，生成晶体硅与氯化锌的步骤；⑥氯化锌与四氯化硅在换热器内进行热交换的步骤；⑦使氯化锌在电解室内电解，生成液态锌与氯气的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 还原法 制造 纯度 晶体 方法 | ||
【主权项】：
用锌还原法制造高纯度晶体硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步骤，使硅粉和氯气在氯氧化炉内进行反应；第二步骤，对第一步骤获得的反应生成物在粗馏塔内进行冷却；第三步骤，对第二步骤获得的精馏段气体进一步精馏，获得高纯度四氯化硅；第四步骤，将锌加热生成气态锌；第五步骤，使第三步骤获得的高纯度四氯化硅与第四步骤获得的气态锌在锌还原室反应，生成高纯度晶体硅与氯化锌；第六步骤，使第五步骤获得的氯化锌与第三步骤获得的高纯度四氯化硅在换热器内进行热交换；第七步骤，使第五步骤获得的氯化锌在电解室内电解，生成液态锌与氯气。
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