[发明专利]一种侧墙硬掩模接触孔/通孔刻蚀技术无效
| 申请号： | 201110110219.3 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102412187A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 朱骏;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种侧墙硬掩模接触孔/通孔刻蚀技术，其中，包括如下步骤：在半导体器件上依次完成接触孔刻蚀阻挡层、接触孔绝缘氧化层薄膜和硬掩模的淀积；进行光刻工艺并刻蚀所述硬掩模形成硬掩模的开口，以形成多个接触孔顶部开口，所述接触孔顶部开口的尺寸为第一尺寸；沉积一层侧墙薄膜覆盖所述接触孔顶部开口及硬掩模；刻蚀覆盖所述接触孔顶部开口处的侧墙薄膜，形成所述接触孔顶部开口的内壁侧墙保护层，此时内壁附着有侧墙薄膜的接触孔顶部开口的尺寸为第二尺寸，任一接触孔顶部开口的第二尺寸不大于该接触孔顶部开口的第一尺寸；通过所述顶部开口刻蚀接触孔绝缘氧化层薄膜形成接触孔；在所述接触孔底部刻蚀接触孔刻蚀阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侧墙硬掩模 接触 刻蚀 技术 | ||
【主权项】：
一种侧墙硬掩模接触孔/通孔刻蚀技术，其特征在于，包括如下步骤：在半导体器件上依次完成接触孔刻蚀阻挡层、接触孔绝缘氧化层薄膜和硬掩模的淀积；进行光刻工艺并刻蚀所述硬掩模形成硬掩模的开口，以形成多个接触孔顶部开口，所述接触孔顶部开口的尺寸为第一尺寸；沉积一层侧墙薄膜覆盖所述接触孔顶部开口及硬掩模； 刻蚀覆盖所述接触孔顶部开口处的侧墙薄膜，形成所述接触孔顶部开口的内壁侧墙保护层，此时内壁附着有侧墙薄膜的接触孔顶部开口的尺寸为第二尺寸，任一接触孔顶部开口的第二尺寸不大于该接触孔顶部开口的第一尺寸；通过所述顶部开口刻蚀接触孔绝缘氧化层薄膜形成接触孔；在所述接触孔底部刻蚀接触孔刻蚀阻挡层，所述接触孔的位置下方为半导体的栅极或有源区，刻蚀掉位于接触孔下方的接触孔刻蚀阻挡层，使所述栅极或有源区暴露。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
