[发明专利]太阳能电池的制造方法无效
申请号: | 201110105400.5 | 申请日: | 2011-04-26 |
公开(公告)号: | CN102760788A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 陈文华 | 申请(专利权)人: | 茂迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种太阳能电池的制造方法,包括:步骤A:蚀刻一第一导电型基板,使其表面成为高低起伏状,并且还形成一等离子破坏层;步骤B:热扩散处理以形成一个第二导电型射极层,并将该等离子破坏层氧化而转变成一个氧化层,该热扩散处理的一个驱入阶段是在一驱入温度下持续一驱入时间,该驱入温度为800℃~950℃,该驱入时间为20分钟~50分钟;步骤C:利用湿式蚀刻方式移除氧化层;及步骤D:形成电极。透过改善该驱入阶段使等离子破坏层氧化,并利用热扩散处理之后的湿式蚀刻去除氧化层,使本发明可以省略热扩散处理前的湿式蚀刻,进而降低设备成本、有利于量产。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,包括下列步骤:步骤A:利用干式蚀刻方式蚀刻一片第一导电型基板,使其表面成为高低起伏状,且该第一导电型基板的表面还形成一个等离子破坏层;其特征在于,该太阳能电池的制造方法还包括以下步骤:步骤B:对该第一导电型基板进行热扩散处理,使该第一导电型基板形成一个位于该等离子破坏层的下方的第二导电型射极层,并将该等离子破坏层氧化而转变成一个氧化层,所述热扩散处理包括一个沉积阶段以及一个驱入阶段,该驱入阶段包括在一驱入温度下持续一驱入时间,该驱入温度为800℃~950℃,该驱入时间为20分钟~50分钟;步骤C:利用湿式蚀刻方式移除该氧化层,完成制作该太阳能电池的半成品;及步骤D:在该太阳能电池的半成品上形成电极。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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