[发明专利]包括激光退火的半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201110102116.2 | 申请日： | 2009-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102176416A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | H·舒尔泽;M·普法芬莱纳;H·-P·费尔斯尔;T·古特;F·-J·尼德诺斯泰德;F·昂巴克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/328 | 分类号： | H01L21/328;H01L21/268 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘金凤;王忠忠 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括：包括第一表面（11）和第二表面（12）的半导体衬底（1），该第二表面与该第一表面相对布置；该第一表面（11）上的至少金属化层（13）；接近于该第二表面（12）的至少p掺杂区（5，25）；接近于该第二表面（12）的至少n掺杂区（6，26），其中所述p掺杂区和n掺杂区（5，25，6，26）包括位于相对于该第二表面（12）的不同深度的相应峰值掺杂浓度；和在所述p掺杂区和n掺杂区之间形成的pn结（J4）；其中所述p掺杂区（5，25）当投影到该第二表面上时是以下两者之一：连通区，其包括完全被该p掺杂区包围的具有n导电类型的部分（7，27）；和单连通区，其与该半导体衬底的横向边缘至少部分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 激光 退火 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：包括第一表面（11）和第二表面（12）的半导体衬底（1），该第二表面与该第一表面相对布置；该第一表面（11）上的至少金属化层（13）；接近于该第二表面（12）的至少p掺杂区（5，25）；接近于该第二表面（12）的至少n掺杂区（6，26），其中所述p掺杂区和n掺杂区（5，25，6，26）包括位于相对于该第二表面（12）的不同深度的相应峰值掺杂浓度；和在所述p掺杂区和n掺杂区之间形成的pn结（J4）；其中所述p掺杂区（5，25）当投影到该第二表面上时是以下两者之一：连通区，其包括完全被该p掺杂区包围的具有n导电类型的部分（7，27）；和单连通区，其与该半导体衬底的横向边缘至少部分隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
