[发明专利]一种提高烧结体氧化镁靶材体积密度的方法无效
| 申请号： | 201110101506.8 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102225862A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 林宇;王宁会;穆卓艺;潘忠艺;张百平 | 申请（专利权）人： | 辽宁中大超导材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/04 | 分类号： | C04B35/04;C04B35/622 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 修德金 |
| 地址： | 115000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高烧结体氧化镁靶材体积密度的方法，包括以下步骤：步骤A，湿法混料阶段：将含硅的氧化物、氢氧化物或有机物作为烧结剂与高纯镁质原料均匀混合；步骤B，烧结阶段：将步骤A得到的混料烧结，烧结温度1450~1750℃，恒温时间2~15小时。本发明将技术方法融入在整个工艺工程中，不用延长工艺过程，无需额外添加设备，且能大幅度降低烧结温度和烧结时间。本发明在制造成本、产品性能等方面都展现出显著的竞争优势和利润空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 烧结 氧化镁 体积 密度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高烧结体氧化镁靶材体积密度的方法，包括以下步骤：步骤A，湿法混料阶段：将含硅的氧化物、氢氧化物或有机物作为烧结剂与高纯镁质原料均匀混合； 步骤B，烧结阶段：将步骤A得到的混料烧结，烧结温度1450~1750℃，恒温时间2~15小时。
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