[发明专利]一种TiO2纳米棒阵列的水热合成方法无效
| 申请号： | 201110094376.X | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102153140A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;袁占强;庞山;程轲 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 田小伍 |
| 地址： | 47500*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于光电材料新能源领域，特别公开了一种TiO2纳米棒阵列的水热合成方法。先将FTO导电玻璃垂直浸入钛源溶胶，然后以0.6~1.5cm/min速率提出，晾干后退火处理；其中，退火条件为：升温速率3~5℃/min，退火温度450±30℃，保持30~60min，降温速率2~5℃/min；把制备有种子层的FTO导电玻璃置于反应溶液中，在150~180℃水热反应5~24h后，冷却至室温，取出，洗净、晾干，得到TiO2纳米棒阵列；所述反应溶液的体积比组成为：水：浓盐酸：钛酸四丁酯=19~50：19~50：1。本发明水热合成方法制备的TiO2纳米棒阵列结构，垂直取向性强，所用的材料廉价，工序简单，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tio sub 纳米 阵列 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种TiO2纳米棒阵列的水热合成方法，其特征在于步骤如下：（1）、制备种子层：将FTO导电玻璃垂直浸入钛源溶胶，然后以0.6~1.5cm/min速率提出，晾干后退火处理；其中，退火条件为：升温速率3~5℃/min，退火温度450±30℃，保持30~60min，降温速率2~5℃/min；（2）、水热反应：把制备有种子层的FTO导电玻璃置于反应溶液中，在150~180℃水热反应5~24h后，冷却至室温，取出，洗净、晾干，得到TiO2纳米棒阵列；所述反应溶液的体积比组成为：水：浓盐酸：钛酸四丁酯=19~50：19~50：1。
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