[发明专利]一种TiO2纳米棒阵列的水热合成方法无效

专利信息
申请号: 201110094376.X 申请日: 2011-04-15
公开(公告)号: CN102153140A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 杜祖亮;袁占强;庞山;程轲 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: C01G23/053 分类号: C01G23/053;B82Y40/00
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 田小伍
地址: 47500*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 tio sub 纳米 阵列 合成 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于光电材料新能源领域,特别涉及了一种TiO2纳米棒阵列的水热合成方法。

背景技术

近年来,纳米棒、纳米线、纳米纤维等准一维结构由于微结构均匀、尺寸可调等优点而成为很有前景的染料/量子点敏化太阳能电池或极薄吸收体太阳能电池的光阳极结构材料。在电极的制备过程中以大面积的纳米线阵列结构为主,这种结构在电池材料、过滤与分离材料、光催化材料、气敏传感材料以及热阻材料等方面具有广阔的应用前景。TiO2纳米棒阵列结构具有电子迁移率高、化学稳定性高、可见光透过率高、无毒无污染、成本低廉、材料制备工艺简单等特点,已经广泛应用于光伏器件、传感器、光催化等领域。

目前人们主要利用磁控溅射、化学气相沉积、溶胶凝胶模板等方法制备TiO2纳米线/棒阵列结构,然而前两种方法需要高温或真空条件,并且制备的阵列结构与基底的垂直性并不好,溶胶凝胶模板法制备虽然成本低廉,其制备的一维结构为纳米粒子的堆积,缺陷较多,从而直接影响电极的电荷传输性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种垂直取向性强的TiO2纳米棒阵列的水热合成方法,并且该方法简单易行,可制得大面积TiO2纳米棒阵列。

为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:

一种TiO2纳米棒阵列的水热合成方法,步骤如下:

(1)、制备种子层:将FTO导电玻璃垂直浸入钛源溶胶(钛源溶胶的制备可利用钛酸四丁酯、二乙醇胺、水及乙醇参照现有技术制备),然后以0.6~1.5cm/min速率提出,晾干后退火处理;其中,退火条件为:升温速率3~5℃/min,退火温度450±30℃,保持30~60min,降温速率2~5℃/min;

(2)、水热反应:把制备有种子层的FTO导电玻璃置于反应溶液中,在150~180℃水热反应5~24h后,冷却至室温,取出,洗净、晾干,得到TiO2纳米棒阵列;所述反应溶液的体积比组成为:水:浓盐酸(质量浓度36~38%):钛酸四丁酯=19~50:19~50:1。

具体地,步骤(2)中:首先,取水、浓盐酸,搅拌均匀后,在保持搅拌的同时逐滴加入钛酸四丁酯,搅拌均匀得到反应溶液;然后,把制备有种子层的FTO导电玻璃朝下斜靠于水热反应釜内壁,反应溶液倒入水热反应釜内,密封水热反应釜之后进行水热反应。

较好地,步骤(1)中各参数优选:提出速率0.8cm/min;退火条件为:升温速率3℃/min,退火温度450℃,保持60min,降温速率2℃/min。

较好地,步骤(2)中,所述反应溶液的体积比组成优选为:水:浓盐酸:钛酸四丁酯=30:30:1。

较好地,步骤(2)中,水热反应温度优选为180℃,水热反应时间优选为8h。

较好地,水优选为三次蒸馏水。

本发明水热合成方法克服了目前磁控溅射、化学气相沉积要求条件苛刻、制备阵列结构垂直性不好的缺点,和溶胶凝胶模板法缺陷较多、影响电荷传输性能等难题,制备的TiO2纳米棒阵列结构,垂直取向性强,所用的材料廉价,工序简单,重复性好,可以用作制备大面积薄膜,为构筑新型阵列器件提供条件。

附图说明

图1:实施例1中制备的种子层SEM图;

图2:实施例1中FTO导电玻璃基底(a)和制备的种子层(b)的UV-Vis吸收光谱图;

图3:实施例1中制备的TiO2纳米棒阵列结构平面SEM图;

图4:实施例1中制备的TiO2纳米棒阵列结构截面SEM图;

图5:实施例1中FTO导电玻璃基底(a)和制备的TiO2纳米棒阵列结构(b)的XRD图;

图6:实施例1中制备的TiO2纳米棒阵列结构UV-Vis吸收光谱图。

具体实施方式

以下实施例中,钛酸四丁酯、无水乙醇、二乙醇胺和浓盐酸(质量浓度36%)均为分析纯试剂,购于天津市科密欧化学试剂有限公司;FTO导电玻璃,厚度为2.2mm,方块电阻为8~12Ω,购买于武汉格奥科教仪器有限公司;SEM:采用日本JEOL公司的JSM-5600扫描电镜;XRD:采用荷兰Philips公司的X′Pert Pro MPD衍射仪(Cu靶 Kα);UV-Vis透射光谱:采用英国UNICAM公司的HEλIOS。

实施例1

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