[发明专利]单晶硅片表面制备多巴胺-稀土复合薄膜的方法无效
申请号: | 201110094312.X | 申请日: | 2011-04-14 |
公开(公告)号: | CN102219556A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 程先华;程海正;俞亮;孙志永;韦山 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C04B41/50 | 分类号: | C04B41/50 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种微机电系统技术领域的单晶硅片表面制备多巴胺-稀土复合薄膜的方法,以单晶硅片作为基底材料,在其表面沉积多巴胺后,将沉积有聚多巴胺薄膜的单晶硅片膜置于稀土溶液中进行自组装,制备得到多巴胺-稀土复合薄膜。本发明通过自组装技术以多巴胺为中间连接体,制备摩擦性能优良的稀土膜,可大大提高硅基薄膜的摩擦学性能。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 表面 制备 多巴胺 稀土 复合 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种单晶硅片表面制备多巴胺‑稀土复合薄膜的方法,其特征在于,以单晶硅片作为基底材料,在其表面沉积多巴胺后,将沉积有聚多巴胺薄膜的单晶硅片膜置于稀土溶液中进行自组装,制备得到多巴胺‑稀土复合薄膜。
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