[发明专利]单晶硅片表面制备多巴胺-稀土复合薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201110094312.X 申请日: 2011-04-14
公开(公告)号: CN102219556A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 程先华;程海正;俞亮;孙志永;韦山 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C04B41/50 分类号: C04B41/50
代理公司: 上海交达专利事务所 31201 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种微机电系统技术领域的单晶硅片表面制备多巴胺-稀土复合薄膜的方法,以单晶硅片作为基底材料,在其表面沉积多巴胺后,将沉积有聚多巴胺薄膜的单晶硅片膜置于稀土溶液中进行自组装,制备得到多巴胺-稀土复合薄膜。本发明通过自组装技术以多巴胺为中间连接体,制备摩擦性能优良的稀土膜,可大大提高硅基薄膜的摩擦学性能。
搜索关键词: 单晶硅 表面 制备 多巴胺 稀土 复合 薄膜 方法
【主权项】:
一种单晶硅片表面制备多巴胺‑稀土复合薄膜的方法,其特征在于,以单晶硅片作为基底材料,在其表面沉积多巴胺后,将沉积有聚多巴胺薄膜的单晶硅片膜置于稀土溶液中进行自组装,制备得到多巴胺‑稀土复合薄膜。
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