[发明专利]宽光谱广角抗反射高分子纳米仿生膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110094310.0 申请日: 2011-04-15
公开(公告)号: CN102250377A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 高雪峰;金鑫;李娟;朱杰;陈周群;周传强 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: C08J9/26 分类号: C08J9/26;C08J5/18;B29D7/01;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明揭示了一种宽光谱广角抗反射高分子纳米仿生膜及其制备方法。该高分子膜的构筑单元为三维渐变纳米突起阵列和/或孔道阵列结构,该三维渐变纳米突起阵列和/或孔道结构是分别由复数个尺寸均匀,中轴线与基面垂直,轮廓连续或非连续变化,尺寸从上至下逐渐变大或变小,且呈有序二维排列组合的纳米突起、孔道组成;其折射率从基底折射率到空气折射率渐变。该制备方法的特点在于,基于三维渐变体阵列结构的模板在高分子基材表面直接压印成形。本发明的高分子膜具有优越宽光谱广角抗反射性能,在平板显示器件、光电器件、光学元件、太阳能电池等领域具有广阔应用前景,且其制备工艺简单易操作效率高、适用范围广、成本低,具有工业化生产潜力。
搜索关键词: 光谱 广角 反射 高分子 纳米 仿生 及其 制备 方法
【主权项】:
一种宽光谱广角抗反射高分子纳米仿生膜,其特征在于:该纳米仿生膜的构筑单元为三维渐变纳米突起阵列结构和/或三维渐变纳米孔道阵列结构,所述三维渐变纳米突起阵列结构和三维渐变纳米孔道阵列结构分别由复数个尺寸均匀,中轴线与基面垂直,轮廓连续或非连续变化,尺寸从上至下逐渐变大或逐渐变小,并且呈有序的二维排列组合的纳米突起和纳米孔道组成;该纳米仿生膜的折射率从基底折射率到空气折射率渐变。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110094310.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top