[发明专利]直拉法生长IC级低Fe含量硅单晶的生长工艺与装置无效
| 申请号： | 201110092088.0 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102181925A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 任丙彦;任丽 | 申请（专利权）人： | 任丙彦;任丽 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 王小静 |
| 地址： | 300130 天津市红*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直拉法生长IC级低Fe含量硅单晶的生长工艺与装置，包括装料、加热化料、拉晶步骤，在直拉法拉制单晶硅棒的过程中使用导流罩与导流筒组合的导流装置，调整坩埚的位置熔硅进行拉晶。装置包括单晶炉、加热器、导流筒、石英坩埚、石墨坩埚、保温盖、保温筒、托盘、固化保温碳毡、固化炉底护盘和排气孔。本发明可生长直径150-200mm、Fe含量小于5E10Atoms/cm3以下直拉单晶硅，使得直拉单晶硅满足集成电路的要求，用于IC行业可大幅降低材料成本。另外，因所用石墨系统无需氯化提纯，还能间接减少对自然环境的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉法 生长 ic fe 含量 硅单晶 工艺 装置 | ||
【主权项】：
一种直拉法生长IC级低Fe含量硅单晶的生长工艺，其特征在于它包括装料、加热化料、拉晶步骤，在直拉法拉制单晶硅棒的过程中使用导流罩与导流筒组合的导流装置，调整坩埚的位置熔硅进行拉晶。
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