[发明专利]一种压控振荡器无效

专利信息
申请号: 201110091000.3 申请日: 2011-04-12
公开(公告)号: CN102158224A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 李正平;王明照;林荣 申请(专利权)人: 广州润芯信息技术有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 李永庆
地址: 510000 广东省广州市经*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种压控振荡器。压控振荡器,包括有电感L和电容C、NMOS管M1、NMOS管M2,电感L和电容C并联,NMOS管M1和NMOS管M2组成NMOS互耦对,NMOS管M1的漏极与NMOS管M2的栅极相接再与电容C的一端连接,NMOS管M2的漏极与NMOS管M1的栅极相接再与电容C的另一端连接,NMOS管M1和NMOS管M2的源极相接,还包括有NMOS管M3、NMOS管M4,NMOS管M3、NMOS管M4的漏极与NMOS管M1、NMOS管M2的源极相接,NMOS管M3、NMOS管M4的栅极分别与电容C的两端相连,NMOS管M3和NMOS管M4的源极相接后接地。本发明通过实现一种恰当偏置的电流源,在正确的时机为谐振腔注入能量,优化了LC振荡器的相位噪声性能。
搜索关键词: 一种 压控振荡器
【主权项】:
一种压控振荡器,包括有电感(L)和电容(C)、NMOS管(M1)、NMOS管(M2),电感(L)和电容(C)并联,NMOS管(M1)和NMOS管(M2)组成NMOS互耦对, NMOS管(M1)的漏极与NMOS管(M2)的栅极相接再与电容(C)的一端连接,NMOS管(M2)的漏极与NMOS管(M1)的栅极相接再与电容(C)的另一端连接,NMOS管(M1)和NMOS管(M2)的源极相接,其特征在于:还包括有NMOS管(M3)、NMOS管(M4),NMOS管(M3)、NMOS管(M4)的漏极与NMOS管(M1)、NMOS管(M2)的源极相接,NMOS管(M3)、NMOS管(M4)的栅极分别与电容(C)的两端相连,NMOS管(M3)和NMOS管(M4)的源极相接后接地。
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