[发明专利]一种光采集装置无效
| 申请号： | 201110089874.5 | 申请日： | 2011-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102738286A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 孟庆波;黄小铭;张一多;李冬梅;罗艳红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于单晶硅电池组件的光采集装置。由于单晶硅电池片的形状特征，在这些电池片组成组件时，会在电池片之间及组件边缘部分留下空白部分不能利用太阳光。本发明的光采集装置由光反射部件或光折射部件组成，置于这些空白部分的位置，能够将空白部分上面的太阳光进行采集并出射至电池片的表面，从而提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采集 装置 | ||
【主权项】：
一种用于单晶硅太阳能电池组件的光采集装置。其特征在于，能够将除各个单晶硅电池片之外的空白区域上的太阳光进行收集并出射至单晶硅电池片表面加以利用转化为电能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
