[发明专利]硅光电倍增探测器结构、制作及使用无效
| 申请号： | 201110087811.6 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102735350A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 韩德俊;胡小波;胡春周;殷登平 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00;H01L27/14;H01L31/107 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及采用与APD单元相连的衬底体电阻来制备硅光电倍增探测器(SiPM)的雪崩淬灭电阻，其目的是为了解决SiPM的探测效率与动态范围不可兼顾的矛盾，可以在保证高探测效率的同时依然保证高的动态范围。提出采用铝诱导非晶硅晶化方法制备雪崩淬灭电阻，以简化SiPM的制作工艺。提出采用“叉指”型双子SiPM器件结构及其双路符合测量光信号的方法，以期克服SiPM暗计数率较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 倍增 探测器 结构 制作 使用 | ||
【主权项】：
一种硅光电倍增探测器(SiPM)，由10至10万个雪崩光电二极管(APD)单元集成在同一个硅外延片上组成，每个APD单元都串联一个雪崩淬灭电阻，雪崩淬灭电阻由所述硅外延片外延层制备，所有APD单元并联输出，共用一个负载，其特征是：所述硅外延片外延层的电阻率与其厚度的乘积为0.04Ω·cm2至25Ω·cm2。
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