[发明专利]一种微纳机电器件中纳米间隙电极的制备方法

摘要

本发明提供了一种微纳机电器件中纳米间隙电极的制备方法，属于微纳机电系统领域。该方法选用一种合适的材料做牺牲层，首先采用回刻的方式制备纳米尺度的牺牲层侧墙结构，侧墙需要有一定的高度，再淀积一层薄的金属层或其它电极材料，然后选择性腐蚀掉牺牲层侧墙材料，附着在侧墙上的金属或其它电极材料将一同被腐蚀掉，并在侧墙的位置形成一个间隙。通过控制牺牲层侧墙的厚度至纳米量级而制备纳米间隙电极。本发明与常规的半导体加工工艺兼容，易于大规模生产，而且成本低。

主权项

一种纳米间隙电极的制备方法，其步骤包括：1)在基片上淀积一层绝缘材料作为绝缘层，再淀积一辅助结构层；该辅助结构层材料与绝缘层材料应有一定的腐蚀选择比；2)光刻、定义辅助结构掩膜层图形后，干法刻蚀辅助结构层材料形成侧壁陡直的辅助结构图形；3)淀积一层牺牲层材料，牺牲层的厚度为纳米间隙电极的宽度，同时该牺牲层材料与辅助结构层材料应有一定的腐蚀选择比；4)回刻牺牲层直到辅助结构层上表面完全裸露，由于干法刻蚀的各向异性刻蚀性质，附着在辅助结构层侧壁的牺牲层被保留下来；5)选用腐蚀辅助结构层的腐蚀液腐蚀基片，由于牺牲层材料与辅助结构层材料有一定的腐蚀选择比，因此完成辅助结构层腐蚀后，牺牲层侧墙被保留下来；6)淀积一层电极材料，该电极材料与牺牲层侧墙材料有一定的腐蚀选择比；7)湿法腐蚀牺牲层侧墙，在腐蚀牺牲层侧墙时，覆盖在侧墙上的电极材料会连同牺牲层侧墙一起被选择性腐蚀掉，最终在侧墙位置处形成纳米间隙电极。