[发明专利]一种氧化锌纳米薄膜的原位合成方法无效

专利信息
申请号: 201110076456.2 申请日: 2011-03-29
公开(公告)号: CN102181850A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 李峰;范国利 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: C23C22/02 分类号: C23C22/02
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 何俊玲
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种氧化锌纳米薄膜的原位合成方法。本发明采用原位合成技术,直接以金属锌片作为基体,利用锌片表面的锌提供氧化锌生长所需要的Zn2+源,以等体积比的乙醇和水作为溶剂,以硼氢化钠或硼氢化钾作为碱性沉淀剂,在锌片表面实现了高结晶度的单晶氧化锌纳米阵列的一步合成。本方法所用工艺简单、原料价格低廉、重复性好、产物结晶度高、纳米阵列疏密可控,解决了以往氧化锌纳米阵列制备中基体价格昂贵、工艺复杂、结晶度差、需引入籽晶,以及膜层易从基体表面脱落等问题。
搜索关键词: 一种 氧化锌 纳米 薄膜 原位 合成 方法
【主权项】:
一种氧化锌纳米薄膜的原位合成方法,具体制备步骤如下:A.将锌片分别用去乙醇和丙酮超声清洗10min,除去表面的杂质和油污,然后用去离子水冲洗干净,烘干备用;B.将NaBH4或KBH4溶于溶剂配制浓度为0.5‑2mol/L的反应溶液,所述溶剂是乙醇与水的等体积混合溶液;C.将预处理好的锌片悬置于反应溶液中,120‑200℃放置6‑48小时,之后取出锌片用乙醇清洗,自然干燥,得到在锌片表面原位生长的ZnO纳米薄膜。
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