[发明专利]镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法无效
| 申请号： | 201110075427.4 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102181826A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 何军辉;刘振华;刘拥军 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28;C23C14/34;C04B35/01;C04B35/622 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 许必元 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法。将In2O3、SnO2、Ga2O3、MoO3粉体和无水乙醇混合经球磨、预合成、再球磨、造粒、成型、烧结、退火，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物InSnGaMo陶瓷靶；将镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)陶瓷靶材置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)透明导电薄膜。本发明制备工艺简单，生产制造容易，可重复性性好，降低了生产成本。InSnGaMo陶瓷靶材具有价格较低，相对密度较高，电阻率更低的特性。InSnGaMo透明导电薄膜具有在高温下结构稳定且具有极低的电阻率(＜10-4Ω·cm)和高的透光率(＞90％)，具有优良的电学和光学特性；同时具有良好的弱酸刻蚀性能。在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 镓钼共 掺杂 氧化物 陶瓷 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶，其特征是将In2O3、SnO2、Ga2O3、MoO3粉体和无水乙醇混合，经球磨、预合成、再球磨、造粒、成型、烧结、退火，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶，组成该陶瓷靶的金属氧化物包含一种或多种选择自Ga2.4In5.6Sn2O16、In2(MoO4)3或SnMo2O5立方体结构相的化合物；所述的镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶相对密度为91‑95％，电阻率最低为7.52×10‑4Ω·cm，最大晶粒尺寸为3.2μm。
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